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        SEMI中國(guó)宣布成立SEMI中國(guó)功率及化合物半導(dǎo)體委員會(huì)，并于2015年7月28日在上海舉行了啟動(dòng)會(huì)議。

        SEMI全球副總裁、中國(guó)總裁陸郝安博士為會(huì)議致歡迎詞并介紹了SEMI中國(guó)圍繞促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展所構(gòu)建的產(chǎn)業(yè)合作交流平臺(tái)。本次會(huì)議通過(guò)了“SEMI中國(guó)功率與化合物半導(dǎo)體委員會(huì)章程”，并推選蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千博士為聯(lián)合主席。

        該委員會(huì)由來(lái)自全球功率及化合物半導(dǎo)體企業(yè)包括英飛凌、恩智浦、三安光電、中科院、能訊高能半導(dǎo)體、PlayNitride、晶湛半導(dǎo)體、矽力杰、南車電氣、銀茂微電子、華虹宏力、Tower Jazz、北車永電等企業(yè)組成，其中既有全球功率半導(dǎo)體巨頭，亦有從事第二代半導(dǎo)體（如GaAs）、第三代寬禁帶半導(dǎo)體（如GaN、SiC）電力電子器件開(kāi)發(fā)及制造的新興企業(yè)。

        張乃千博士分享了GaN射頻器件與電力電子器件特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)，作為重要的核“芯”器件，GaN電力電子器件未來(lái)在計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通訊、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、電力輸送、現(xiàn)代交通等行業(yè)將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用，發(fā)展?jié)摿薮蟆Ｄ暇┿y茂微電子制造有限公司總經(jīng)理莊偉東博士做了”中國(guó)IGBT的技術(shù)與市場(chǎng)的發(fā)展“主題報(bào)告，分享了IGBT行業(yè)的最新進(jìn)展和對(duì)未來(lái)市場(chǎng)預(yù)測(cè)。